By Arnold Emch

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On suppose que la diode est idéale, avec : VZ = 10 V et r Z = 0, La tension d’entrée est une tension continue qui varie entre 15 et 20 V, la résistance d’utilisation RU est une résistance fixe de 200 V. Le courant dans la diode Zener doit être d’intensité supérieure ou égale à 5 mA. Calculer la valeur de la résistance série R S . 2. On garde la valeur de R S et on suppose maintenant que RU est une résistance qui varie de 200 V à 2 kV. Calculer les valeurs limites du courant I et du courant I Z .

B) L’effet transistor L’étude sera menée sur un transistor bipolaire de type NPN qui est le plus utilisé et le plus facile à réaliser. Le fonctionnement d’un transistor de type PNP se déduit en échangeant les rôles des électrons ainsi que des trous et en inversant les signes des tensions d’alimentation et des courants. 3 (a). 3 (b)). Ces zones de transition représentées en hachuré sont dépourvues de porteurs majoritaires et la barrière de potentiel pour chacune d’elles est d’environ 0,6 à 0,7 volt.

La valeur moyenne devient : p 1 T 2 E − cos (u) u (t) dt = E sin (u) du = T 0 2p 0 p E 2E − cos (p) + cos (0) = U= p p De même, le calcul de la valeur efficace s’obtient en calculant : U= 2 = Ueff 2 Ueff 1 T T u 2 (t) dt = 0 E2 2p 2 p sin2 (u) du = 0 E2 = (2p − 0) − sin (2u) 4p 2p 0 E2 = 2 E2 2p 2 p 0 p 0 1 − cos (2u) du 2 Exercices 31 E E Max Ueff = √ = √ 2 2 On en déduit : Le taux d’ondulation devient : U∼eff t= U= Soit : t2 = avec : 2 2 2 Ueff = U= + U∼eff 2 Ueff p2 − 1 = − 1 = 0,23, on trouve : t = 0,48 ou 48 % 2 U= 8 2.

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